硅电容器
硅电容器和薄膜电容器属于特种器件,其制造工艺、技术手段及材料均沿用了半导体器件生产的通用方法与材料。由此实现的极高精度与严格控制,使得这类电容器能够达到近乎理想的性能,并具备优异的参数稳定性;尽管其容值范围相对有限,且相较于与其直接竞争的陶瓷基电容器而言成本较高。
CAP SILICON 10000PF 15% 11V 0201
CAP SILICON 1000PF 15% 50V SMD
CAP SILICON 10000PF 15% 30V 0201
CAP SILICON 0.022UF 15% 50V 0504
CAP SILICON 10000PF 15% 50V 0303
CAP SILICON 47PF 15% 150V 0201
CAP SILICON 1000PF 15% 150V 0202
CAP SILICON 5600PF 15% 30V 0201
CAP SILICON 5600PF 15% 30V 0201
CAP SILICON 100PF 15% 150V 0202
1+:$7.73
10+:$5.73
50+:$4.94
100+:$4.69
500+:$4.54
CAP SILICON 10000PF 15% 30V 0201
CAP SILICON 10000PF 15% 11V 0201