硅电容器
硅电容器和薄膜电容器属于特种器件,其制造工艺、技术手段及材料均沿用了半导体器件生产的通用方法与材料。由此实现的极高精度与严格控制,使得这类电容器能够达到近乎理想的性能,并具备优异的参数稳定性;尽管其容值范围相对有限,且相较于与其直接竞争的陶瓷基电容器而言成本较高。
CAP SILICON 0.4PF 10% SMD
CAP SILICON 1.5PF 10% SMD
400+:$5.8
800+:$5.66
1200+:$5.58
CAP SILICON 150PF 10% SMD
CAP SILICON 25PF 20% 50V DIE
CAPACITOR,48 PF +/-5%,DIE
DIE, MOUNTING CAPACITOR, 460PF +
DIE, CAPACITOR, 29PF +/-10%
DIE, CAPACITOR, 22PF +/-5%
DIE, CAPACITOR, 500 PF +/-10%