硅电容器

硅电容器和薄膜电容器属于特种器件,其制造工艺、技术手段及材料均沿用了半导体器件生产的通用方法与材料。由此实现的极高精度与严格控制,使得这类电容器能够达到近乎理想的性能,并具备优异的参数稳定性;尽管其容值范围相对有限,且相较于与其直接竞争的陶瓷基电容器而言成本较高。
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信息
描述
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9122RK
包装:Tray
CAP SILICON 22PF 10% 100V SMD
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400+:$10.92
800+:$10.68
库存2800
919R9K
包装:Tray
CAP SILICON 9.9PF 10% 100V SMD
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库存1600
9123RK
包装:Tray
CAP SILICON 23PF 10% 100V SMD
PDF
 
库存1600
9112RK
包装:Tray
CAP SILICON 12PF 10% 100V SMD
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400+:$4.95
800+:$4.82
1200+:$4.76
2000+:$4.69
库存2000
9115R0K-BOO
包装:Tray
CAP SILICON 15PF 100V SMD
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库存1600
910R2K
包装:Bulk
DIE, CAPACITOR, 0.2PF +/-10%
 
库存1600
912R8K
包装:Bulk
DIE, CAPACITOR, 2.8PF +/-10%
 
库存1600
913R7M-BOO
包装:Bulk
CAPACITOR CHIP, BINARY 4 PAD CHI
 
库存1600
91500RM-SP2
包装:Bulk
CAPACITOR-CHIP,500PF
 
库存1600
9125RK-SP14
包装:Bulk
 
库存1600
913R0K
包装:Bulk
CAPACITOR,3 PF +/-10%,DIE
 
库存1600
913R7K-BSP-3
包装:Bulk
CAPACITOR,3.7 PF +/-10%,DIE
 
库存1600